IGBT vs MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ja IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ovat kahden tyyppisiä transistoreita, ja molemmat kuuluvat gate driven -luokkaan. Molemmilla laitteilla on samannäköiset rakenteet erityyppisillä puolijohdekerroksilla.
Metallioksidipuolijohdekenttätehotransistori (MOSFET)
MOSFET on Field Effect Transistor (FET) -tyyppi, joka koostuu kolmesta liittimestä, jotka tunnetaan nimellä "Gate", "Source" ja "Drain". Täällä tyhjennysvirtaa ohjataan hilajännitteellä. Siksi MOSFETit ovat jänniteohjattuja laitteita.
MOSFETeitä on saatavana neljää eri tyyppiä, kuten n-kanavainen tai p-kanava, joko tyhjennys- tai parannustilassa. Viemäri ja lähde on valmistettu n-tyypin puolijohteesta n-kanavaisille MOSFET-laitteille ja vastaavasti p-kanavaisille laitteille. Portti on valmistettu metallista ja erotettu lähteestä ja viemäristä metallioksidilla. Tämä eristys aiheuttaa alhaisen virrankulutuksen, ja se on MOSFETin etu. Siksi MOSFETiä käytetään digitaalisessa CMOS-logiikassa, jossa p- ja n-kanavaisia MOSFETejä käytetään rakennuspalikoina virrankulutuksen minimoimiseksi.
Vaikka MOSFET-konsepti ehdotettiin hyvin varhaisessa vaiheessa (vuonna 1925), se otettiin käytännössä käyttöön vuonna 1959 Bell Labsissa.
Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT on puolijohdelaite, jossa on kolme terminaalia, jotka tunnetaan nimellä "Emitter", "Collector" ja "Gate". Se on eräänlainen transistori, joka pystyy käsittelemään suurempaa tehoa ja jolla on suurempi kytkentänopeus, mikä tekee siitä erittäin tehokkaan. IGBT tuotiin markkinoille 1980-luvulla.
IGBT:ssä on sekä MOSFET- että bipolaaritransistorin (BJT) yhdistetyt ominaisuudet. Se on porttiohjattu kuten MOSFET, ja sillä on virtajänniteominaisuudet, kuten BJT:t. Siksi sillä on sekä korkean virrankäsittelykyvyn että hallittavuuden edut. IGBT-moduulit (koostuvat useista laitteista) voivat käsitellä kilowattia tehoa.
IGBT:n ja MOSFETin ero
1. Vaikka sekä IGBT että MOSFET ovat jänniteohjattuja laitteita, IGBT:llä on BJT:n k altaiset johtavuusominaisuudet.
2. IGBT:n liittimet tunnetaan emitterinä, kollektorina ja porttina, kun taas MOSFET on tehty portista, lähteestä ja viemäristä.
3. IGBT:t ovat parempia tehonkäsittelyssä kuin MOSFETS
4. IGBT:ssä on PN-liitokset, mutta MOSFET:issä ei ole niitä.
5. IGBT:llä on pienempi eteenpäin suunnattu jännitehäviö verrattuna MOSFET
6. MOSFETillä on pitkä historia verrattuna IGBT
